存储芯片相关推文继续围绕看多观点、技术研究与持仓选择展开。qinbafrank认为，投行在市场最悲观时没有表态，行情逐步走出后才开始喊多，并重申此前做空存储性价比不高、存储走势可能越来越像大科技的判断。美研芒格君向关注英伟达、美光、三星和海力士的读者推荐“打破内存墙”相关文章，但候选正文截断，未展示具体技术结论。川沐自述美股主要持有RAM和INTW，将前者与DRAM价格联系起来，将后者与其对佩洛西英特尔持仓的信任联系起来。本轮讨论把产业看多延伸至交易产品选择，但未提供研报原文、产品结构或政治人物持仓核验，不能据此确认供需改善或跟随交易的胜率。
Participated post: “从现在到Q1底， 存储将无敌于天下！ SK 海力士、美光、闪迪、 $DRAM +Pump +！ ” - ccl
史上最严重的缺HBM， DRAM，NAND存储年份2027，即将到来！
NFA, DYOR.
" • 继7月3日发布看跌报告后，目前对DRAM板块持乐观态度。
• DRAM市场稳健：我们认为美国超大规模数据中心库存较低，且可能进一步下降。
预计2026年第四季度混合DRAM价格环比增长约10%（而2026年第三季度为接近10%）。
• NAND市场疲软：2026年第三季度价格环比增长接近10%，随后由于移动需求疲软和库存高企，预计2026年第四季度将回落至个位数。" - Jukan
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