存储芯片看多延续：投行观点、内存墙与持仓选择

存储芯片相关推文继续围绕看多观点、技术研究与持仓选择展开。qinbafrank认为，投行在市场最悲观时没有表态，行情逐步走出后才开始喊多，并重申此前做空存储性价比不高、存储走势可能越来越像大科技的判断。美研芒格君向关注英伟达、美光、三星和海力士的读者推荐“打破内存墙”相关文章，但候选正文截断，未展示具体技术结论。川沐自述美股主要持有RAM和INTW，将前者与DRAM价格联系起来，将后者与其对佩洛西英特尔持仓的信任联系起来。本轮讨论把产业看多延伸至交易产品选择，但未提供研报原文、产品结构或政治人物持仓核验，不能据此确认供需改善或跟随交易的胜率。